[发明专利]绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底

摘要

本发明公开了一种绝缘体上硅射频器件及其绝缘体上硅衬底，高电阻率硅基板与埋入氧化层之间设置有钝化层，在钝化层的阻挡作用下，在绝缘体上硅射频器件的制作过程、存放过程或使用过程中外界环境中的有害物质不能通过凹坑扩散至埋入氧化层中，因而能够提高绝缘体上硅射频器件的可靠性。所述凹坑设置在高电阻率硅基板中并贯穿高电阻率硅基板，这样可以增大高电阻率硅基板的等效表面电阻，因而能够减少高电阻率硅基板表面在射频信号作用下涡流的产生，减少了射频信号的损耗，提高了绝缘体上硅射频器件的射频信号的线性度，凹坑内可以填充有绝缘材料也可以未填充材料。

主权项

一种绝缘体上硅衬底，其特征在于，包括高电阻率硅基板、顶层硅及设置在所述高电阻率硅基板与顶层硅之间的埋入氧化层与钝化层，且所述钝化层设置在所述埋入氧化层与高电阻率硅基板之间。