[发明专利]基于铝合金引线框架的半导体器件及制备方法有效

专利信息
申请号: 201210563371.1 申请日: 2012-12-21
公开(公告)号: CN103887225B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 薛彦迅;何约瑟;丁永平 申请(专利权)人: 万国半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/495;H01L23/31
代理公司: 上海申新律师事务所31272 代理人: 竺路玲
地址: 美国加利福尼亚州940*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提出了将铝合金材料应用在引线框架上并利用铝合金引线框架来制备带有外露的钝化层的半导体器件。由于铝合金是低成本原材料,其硬度及柔韧性均适宜于引线框架的冲切、弯折、成型等需变形的工序,因此适用于大量生产,而且其重量要远远低于金属铜或铁镍材质,这为实际生产带来了极大的便利。
搜索关键词: 基于 铝合金 引线 框架 半导体器件 制备 方法
【主权项】:
一种半导体器件的制备方法,提供一包含有多个芯片安装单元的引线框架,并且每个芯片安装单元至少包含一基座及设置在基座附近的多个引脚,其特征在于,包括以下步骤:在所述基座和引脚各自的表面上均形成一金属层;将一芯片粘贴在所述基座的正面;利用互连结构将设置所述芯片正面的各焊垫分别相对应地电性连接到至少一部分引脚各自的靠近基座的端部;形成一至少包覆在基座正面的塑封体,并且该塑封体将所述芯片、互连结构和所述的端部包覆在内,其中基座背面带有的所述金属层暴露于塑封体之外;移除所述基座背面的所述金属层;在所述基座的背面形成一层钝化层。
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