[发明专利]基于铝合金引线框架的半导体器件及制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，提供一包含有多个芯片安装单元的引线框架，并且每个芯片安装单元至少包含一基座及设置在基座附近的多个引脚，其特征在于，包括以下步骤：

在所述基座和引脚各自的表面上均形成一金属层；

将一芯片粘贴在所述基座的正面；

利用互连结构将设置所述芯片正面的各焊垫分别相对应地电性连接到至少一部分引脚各自的靠近基座的端部；

形成一至少包覆在基座正面的塑封体，并且该塑封体将所述芯片、互连结构和所述的端部包覆在内，其中基座背面带有的所述金属层暴露于塑封体之外；

移除所述基座背面的所述金属层；

在所述基座的背面形成一层钝化层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括利用湿法刻蚀移除基座背面的金属层的步骤，并在该步骤中避免引脚延伸到塑封体之外的部分的表面所覆盖的金属层接触刻蚀液以防止其被刻蚀掉。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括利用湿法刻蚀移除基座背面的金属层的步骤，并在该步骤之前，先在引脚的延伸到塑封体之外的部分的表面上所覆盖的金属层上镀一层抗蚀剂层，用以隔离该部分金属层和刻蚀液。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在基座的背面形成一层所述的钝化层之后，在引脚延伸至塑封体之外的部分的表面所覆盖的金属层之上再形成一层电镀层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基座上还连接有一散热片，在形成所述金属层的步骤中同时在散热片的表面形成有金属层；以及

在形成所述塑封体的步骤中，所述散热片未被塑封体包覆在内；并且

在移除基座背面的金属层的同时还将散热片表面的金属层一并移除；以及

在基座背面形成钝化层的同时还在散热片的表面生成一层钝化层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述引线框架的材质为铝合金。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述钝化层是利用铝合金硬质阳极氧化法处理所形成的氧化铝钝化层。

8.一种半导体器件的制备方法，提供一包含有多个芯片安装单元的引线框架，并且每个芯片安装单元至少包含一基座及设置在基座附近的多个引脚，其特征在于，包括以下步骤：

在所述基座的除了背面以外的余下表面和所述引脚的表面上形成金属层；

将一芯片粘贴在所述基座的正面；

利用互连结构将设置所述芯片正面的各焊垫分别相对应地电性连接到至少一部分引脚各自的靠近基座的端部；

形成一至少包覆在基座正面的塑封体，并且该塑封体同时将所述芯片、互连结构和各端部包覆在内，其中基座背面裸露于塑封体之外；

在所述基座的背面形成一层钝化层。

9.一种半导体器件的制备方法，所述半导体器件具有承载芯片的基座，并具有一塑封体，用以包覆该芯片和包覆部分基座，其特征在于，包括以下步骤：至少使基座的背面外露于塑封体，并在所述基座的背面形成一层钝化层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述基座的表面覆盖有一金属层，并且基座的底面带有的所述金属层外露于塑封体；

其中，在所述基座的背面形成所述的钝化层之前，还包括先将基座背面的所述金属层移除的步骤。

11.一种半导体器件，包含一芯片安装单元并且每个芯片安装单元至少包含一基座及设置在基座附近的多个引脚，其特征在于，还包括：

形成在所述基座背面的一钝化层，以及形成在所述基座余下的表面上和所述引脚的表面上的金属层；

一个粘贴在所述基座正面的芯片；

多个将设置所述芯片正面的各焊垫分别相对应地电性连接到至少一部分引脚的靠近基座的端部的互连结构；

至少包覆在基座正面的一塑封体，所述塑封体还将所述芯片、互连结构和各端部包覆在内，其中所述基座背面带有的所述钝化层暴露于塑封体之外。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述芯片为一垂直式的功率器件，设置在所述芯片背面的一背部金属层通过导电的粘合材料粘贴到基座上；以及

至少一个引脚直接连接在该基座上，并且连接到基座上的所述引脚的一部分被塑封体包覆在内。