[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210558689.0 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103426918A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 藤井芳雄 | 申请（专利权）人： | 新日本无线株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;王大方 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可以在半导体元件的电极表面使用铝材，而且不必浪费地形成很厚的所述铝层，铜线与线径无关地牢固地接合于半导体元件电极，实现高耐热化。在功率半导体元件10的基板上使用碳化硅(SiC)，在该碳化硅基板上形成钛层20和铝层21作为电极15，通过一边施加超声波振动一边将铜线16球焊或楔焊于上述电极15的铝层21，由此在铜线16和钛层20之间形成铜-铝化合物(Al4Cu9、AlCu等)层23。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，在半导体元件的电极的表面形成有铝层，铜线引线接合于所述电极，其特征在于，在所述铜线和所述电极的铝层的下层金属层之间形成有含有铜和铝的化合物层。
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