[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201210558689.0 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103426918A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 藤井芳雄 | 申请（专利权）人： | 新日本无线株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;王大方 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，在半导体元件的电极的表面形成有铝层，铜线引线接合于所述电极，其特征在于，
在所述铜线和所述电极的铝层的下层金属层之间形成有含有铜和铝的化合物层。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述含有铜和铝的化合物层是由选自Al2Cu3、Al4Cu9、AlCu3及AlCu4中的至少一种化合物形成的层。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，使用钛作为所述电极的铝层的下层金属层。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，使用碳化硅作为所述半导体元件的基板。
5.一种半导体器件的制造方法，在半导体元件的电极的表面形成铝层，将铜线连接于所述电极，其特征在于，
一边施加超声波振动一边将所述铜线引线接合于所述电极的所述铝层，在所述铜线和所述电极的铝层的下层金属层之间形成含有铜和铝的化合物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新日本无线株式会社，未经新日本无线株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210558689.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜太阳能电池模块及其制造方法
- 下一篇：一种带柔性轴承的稳定杆衬套
- 同类专利
- 专利分类
