[发明专利]引线框架加工方法有效
| 申请号： | 201210558306.X | 申请日： | 2012-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887181B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 陈冲;杨志刚;刘德波;孔令文;彭勤卫 | 申请（专利权）人： | 深南电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285 | 代理人： | 唐华明 |
| 地址： | 518000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种引线框架加工方法，可包括在载体材料的第一面上加工出第一导电层；在第一导电层上设置介质层；在上述介质层上设置第二导电层；在第二导电层上钻出贯通至第一导电层的若干个孔；在孔内填充导电物质；在第二导电层上贴第二膜；通过对第二膜进行曝光显影处理露出非线路图形区；蚀刻掉非线路图形区的导电物质以形成线路图形。本发明实施例提供的技术方案有利于提高引线框架的制作精度。 | ||
| 搜索关键词： | 引线 框架 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种引线框架加工方法，其特征在于，包括：在载体材料的第一面上加工出第一导电层；在所述第一导电层上设置介质层；在所述介质层上设置第二导电层；在所述第二导电层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔；在所述孔内填充导电物质；在所述第二导电层上贴第二膜；通过对所述第二膜进行曝光显影处理露出非线路图形区；蚀刻掉第二导电层上所述非线路图形区的导电物质以形成线路图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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