[发明专利]引线框架加工方法

权利要求书

1.一种引线框架加工方法，其特征在于，包括：

在载体材料的第一面上加工出第一导电层；

在所述第一导电层上设置介质层；

在所述介质层上设置第二导电层；

在所述第二导电层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔；

在所述孔内填充导电物质；

在所述第二导电层上贴第二膜；

通过对所述第二膜进行曝光显影处理露出非线路图形区；

蚀刻掉第二导电层上所述非线路图形区的导电物质以形成线路图形。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二导电层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔，包括：

去除或减薄所述第二导电层上孔加工区域的导电物质；

在去除或减薄导电物质的所述孔加工区域钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述孔内填充导电物质之前还包括：在钻出了所述若干个孔的所述第二导电层上贴第一膜；对所述第一膜进行曝光显影处理以露出所述孔；

所述在所述第二导电层上贴第二膜之前还包括：在去除所述第二导电层上的剩余第一膜。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述第一膜进行曝光显影处理以露出所述孔，在所述孔内填充导电物质，包括：对所述第一膜进行曝光显影处理以露出线路图形区域和所述孔，其中，所述曝光显影处理后的剩余第一膜覆盖所述第二导电层的非线路图形区域；在所述孔内填充导电物质并增厚所述线路图形区域的导电物质；

所述在去除所述第二导电层上的剩余第一膜之后，在所述第二导电层上贴上第二膜之前还包括：通过微蚀液微蚀所述第二导电层以减薄所述第二导电层厚度。

5.根据权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：去除所述载体材料和所述第一导电层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在载体材料的第一面上加工出第一导电层，包括：通过化学镀或溅射在载体材料的第一面上形成第一金属种子层；在所述第一金属种子层上加工出第一子导电层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述第一金属种子层包括：镍、铁、铜和钛的至少一种。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在钻出了所述若干个孔的所述第二导电层上贴第一膜之前还包括：通过化学镀或溅射在钻出的所述若干个孔的孔壁上形成第二金属种子层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述在所述介质层上设置第二导电层包括：

在所述介质层上层压铜箔层。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二导电层的厚度为1-10微米。