[发明专利]引线框架加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及电路板加工制造技术领域，具体涉及引线框架加工方法。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝或铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。其中，引线框架起到了和外部导线连接的桥梁作用，目前绝大部分的半导体集成芯片中都需要使用引线框架，引线框架是电子信息产业中重要的基础器件。

当前，传统引线框架生产工艺为冲制型和刻蚀型两大类，目前以冲制型生产为主流。例如二极管、三极管的引线框架有几百个品种，其中的绝大部分为冲制型生产工艺。集成电路所用引线框架，冲制工艺可对100针脚（pin）以下的品种进行量产，可满足多种塑料封装形式的使用需要。刻蚀型引线框架主要应用于新品开发和引线节距在0.65mm以下的框架生产，可生产170pin-230pin左右的引线框架。

在生产和实践过程中发明人发现，采用传统冲制型和刻蚀型工艺制作引线框架，在制作精度方面受到一定限制，在一些更高要求的场景下已经难以满足需要。

发明内容

本发明实施例提供一种引线框架加工方法，以期进一步提高引线框架的制作精度。

本发明提供一种引线框架加工方法，可包括：

在载体材料的第一面上加工出第一导电层；

在所述第一导电层上设置介质层；

在所述介质层上设置第二导电层；

在所述第二导电层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔；

在所述孔内填充导电物质；

去除所述第二导电层上的剩余第一膜；

在所述第二导电层上贴第二膜；

通过对所述第二膜进行曝光显影处理露出非线路图形区；

蚀刻掉所述非线路图形区的导电物质以形成线路图形。

可选的，所述在所述第二导电层上钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔包括：去除或减薄所述第二导电层上孔加工区域的导电物质；在去除或减薄导电物质的所述孔加工区域钻出贯通至所述第一导电层的若干个孔。

可选的，所述在所述孔内填充导电物质之前还包括：在钻出了所述若干个孔的所述第二导电层上贴第一膜；对所述第一膜进行曝光显影处理以露出所述孔；所述在所述第二导电层上贴第二膜之前还包括：在去除所述第二导电层上的剩余第一膜。

可选的，所述对所述第一膜进行曝光显影处理以露出所述孔，在所述孔内填充导电物质，包括：

对所述第一膜进行曝光显影处理以露出线路图形区域和所述孔，其中，所述曝光显影处理后的剩余第一膜覆盖所述第二导电层的非线路图形区域；在所述孔内填充导电物质并增厚所述线路图形区域的导电物质；

所述在去除所述第二导电层上的剩余第一膜之后，在所述第二导电层上贴上第二膜之前还包括：通过微蚀液微蚀所述第二导电层以减薄所述第二导电层厚度。

可选的，去除所述载体材料和所述第一导电层。

可选的，所述在载体材料的第一面上加工出第一导电层，包括：通过化学镀或溅射在载体材料的第一面上形成第一金属种子层；在所述第一金属种子层上加工出第一子导电层。

可选的，所述第一金属种子层包括：镍、铁、铜和钛的至少一种。

可选的，所述在所述第一金属种子层上加工出第一子导电层，包括：通过电镀在所述第一金属种子层上形成第一子导电层。

可选的，所述在钻出了所述若干个孔的所述第二导电层上贴膜之前还包括：通过化学镀或溅射在钻出的所述若干个孔的孔壁上形成第二金属种子层。

可选的，在所述孔内填充导电物质包括：通过电镀或化学镀在所述孔内填满导电物质。

可选的，所述在所述介质层上设置第二导电层包括：在所述介质层上层压铜箔层。

可选的，所述第二导电层的厚度为1~10微米。