[发明专利]一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法有效
申请号: | 201210556114.5 | 申请日: | 2012-12-20 |
公开(公告)号: | CN102983315A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 杨尊先 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;B82Y40/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350001 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法,以CuO纳米线为模板生长一维C/SnO2@C/C/CuO复合纳米线,再通过无机酸选择性腐蚀去掉CuO纳米线模板,随后再在H2/Ar还原性气氛中热处理,最终得到一维C/Sn@C/C复合纳米管。本发明运用CuO模板法制备出一维C/Sn@C/C复合纳米管,制备工艺简单,所制备的材料具有大比表面积,导电性好,在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。 | ||
搜索关键词: | 一种 cuo 纳米 模板 制备 sn 复合 方法 | ||
【主权项】:
一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法,其特征在于:以CuO纳米线为模板生长由外到内依次为碳、氧化锡@碳复合材料、碳、氧化铜的纳米线,即C/SnO2@C/C/CuO复合纳米线,再通过无机酸选择性腐蚀去掉CuO纳米线模板,随后再在H2/Ar还原性气氛中热处理,最终得到一维由外到内依次为碳、锡碳复合材料、碳的C/Sn@C/C复合纳米管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学,未经福州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210556114.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:球阀的软密封结构
- 下一篇:自动变速器急减速换挡控制方法与系统