[发明专利]一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法有效

专利信息
申请号: 201210556114.5 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN102983315A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 杨尊先 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;B82Y40/00
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350001 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法,以CuO纳米线为模板生长一维C/SnO2@C/C/CuO复合纳米线,再通过无机酸选择性腐蚀去掉CuO纳米线模板,随后再在H2/Ar还原性气氛中热处理,最终得到一维C/Sn@C/C复合纳米管。本发明运用CuO模板法制备出一维C/Sn@C/C复合纳米管,制备工艺简单,所制备的材料具有大比表面积,导电性好,在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。
搜索关键词: 一种 cuo 纳米 模板 制备 sn 复合 方法
【主权项】:
一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法,其特征在于:以CuO纳米线为模板生长由外到内依次为碳、氧化锡@碳复合材料、碳、氧化铜的纳米线,即C/SnO2@C/C/CuO复合纳米线,再通过无机酸选择性腐蚀去掉CuO纳米线模板,随后再在H2/Ar还原性气氛中热处理,最终得到一维由外到内依次为碳、锡碳复合材料、碳的C/Sn@C/C复合纳米管。
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