[发明专利]一种以CuO纳米线为模板制备C/Sn@C/C一维复合纳米管的方法

权利要求书

1.一种以CuO纳米线为模板制备C/SnC/C一维复合纳米管的方法，其特征在于：以CuO纳米线为模板生长由外到内依次为碳、氧化锡碳复合材料、碳、氧化铜的纳米线，即C/SnO₂C/C/CuO复合纳米线，再通过无机酸选择性腐蚀去掉CuO纳米线模板，随后再在H₂/Ar还原性气氛中热处理，最终得到一维由外到内依次为碳、锡碳复合材料、碳的C/SnC/C复合纳米管。

2.  根据权利要求1所述的以CuO纳米线为模板制备C/SnC/C一维复合纳米管的方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）采用低温液相化学法制备出一维CuO纳米线；

（2）将一维CuO纳米线分散到有机酸溶液中，室温下搅拌1-3h后，转移到真空烘箱内进行热处理，即得到一维C/CuO复合纳米线；

（3）取1.8-2.1g SnCl₂·2H₂O分散到有机酸溶液中并磁力搅拌，再将一维C/CuO复合纳米线材料分散到其中，转移到水热反应釜后，置于烘箱内进行热处理，冷却至室温，清洗，干燥，得到由外到内依次是氧化锡碳复合材料、碳、氧化铜的一维SnO₂C/C/CuO复合纳米线；

（4）将SnO₂C/C/CuO复合纳米线再次分散到有机酸溶液中，然后转移到水热反应釜后，置于烘箱内进行热处理，冷却至室温，清洗，干燥，得到一维C/SnO₂C/C/CuO复合纳米线。

3.  根据权利要求1所述的以CuO纳米线为模板制备C/SnC/C一维复合纳米管的方法，其特征在于：所述的无机酸为盐酸，浓度为2-6mol/L，腐蚀时间为1-3h。

4.  根据权利要求1所述的以CuO纳米线为模板制备C/SnC/C一维复合纳米管的方法，其特征在于：所述的H₂/Ar 还原性气氛中氢气浓度为4%-100%，热处理温度为500-800℃，热处理时间为2-4小时。

5. 根据权利要求2所述的以CuO纳米线为模板制备C/SnC/C一维复合纳米管的方法，其特征在于：步骤（2）（3）（4）中所述的有机酸为苹果酸，浓度为2-4mol/L，所述的热处理温度为160-200℃，时间为3-7h。