[发明专利]鳍式场效应晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制作方法，该方法首先在衬底上形成硬掩模层图形，在硬掩模层图形的两侧形成第一侧墙；然后以第一侧墙及硬掩模层图形为掩模对暴露的部分衬底进行刻蚀以形成倒T型鳍下部，倒T型鳍下部与第一侧墙及硬掩模层图形形成堆叠结构；去除硬掩模层图形之后，在硬掩模层图形所在的位置形成开口；然后在开口内形成倒T型鳍上部，倒T型鳍下部与倒T型鳍上部构成倒T型鳍，倒T型鳍上部位于倒T型鳍下部的正中央位置，提高了鳍式场效应晶体管的性能。与现有鳍式场效应晶体管的制作方法相比，本发明所提供的方法更为简单、易实现。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供绝缘体上硅衬底，其包括硅基板、位于所述硅基板上方的埋入氧化层及位于所述埋入氧化层上方的顶层硅；在所述绝缘体上硅衬底上形成硬掩模层图形；在所述硬掩模层图形的两侧形成第一侧墙；以所述第一侧墙及硬掩模层图形为掩模对所述顶层硅进行刻蚀直至露出所述埋入氧化层，以形成倒T型鳍下部，所述倒T型鳍下部与所述第一侧墙及硬掩模层图形形成堆叠结构；去除所述硬掩模层图形，在所述硬掩模层图形所在位置形成开口；在所述开口内形成倒T型鳍上部，所述倒T型鳍下部与倒T型鳍上部构成倒T型鳍；去除所述第一侧墙之后，形成鳍式场效应晶体管的栅极、源极及漏极。