[发明专利]一种制备GaP薄膜材料的方法有效
| 申请号： | 201210552003.7 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103173715A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘兴泉;张铭菊 | 申请（专利权）人： | 常州星海电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;C30B23/02;C30B29/44 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 何学成 |
| 地址： | 213022 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备GaP薄膜材料的方法，以Ga2O3，P2O5以及还原萃取剂为原料，加入与固体原料质量50%~100%相当的无水乙醇，研磨均匀后，用10~15MPa的压力将其压成厚度为1~10mm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，用高纯氮气抽真空，置换到氧气浓度为ppm级，然后再用混合气体抽真空置换1~2次，抽真空至7~13Pa，控制升温速度在5~10℃/min范围内，反应区加热升温至1200℃~1250℃范围内,沉积区加热升温至600℃~800℃范围内，恒温3~4h，其间保持真空度不小于-0.08MPa；当反应区温度达到预定温度后，自然降温至室温，充入混合气体至常压后，即得到棕红色的GaP薄膜，本发明使用的原料简单，价廉易得，且均为固体或无毒气体，对环境无污染，对操作人员无安全威胁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 gap 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种制备GaP薄膜材料的方法，其特征在于：以Ga2O3，P2O5以及还原萃取剂为原料，加入与固体原料质量50%~100%相当的无水乙醇，研磨均匀后，用10~15MPa的压力将其压成厚度为1~10mm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，用高纯氮气抽真空，置换到氧气浓度为ppm级，然后再用混合气体抽真空置换1~2次，抽真空至7~13Pa，控制升温速度在5~10℃/min范围内，反应区加热升温至1200℃~1250℃范围内,沉积区加热升温至600℃~800℃范围内，恒温3~4h，其间保持真空度不小于‑0.08MPa；当反应区温度达到预定温度后，自然降温至室温，充入混合气体至常压后，即得到棕红色的GaP薄膜。
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