[发明专利]一种制备GaP薄膜材料的方法有效
| 申请号： | 201210552003.7 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103173715A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘兴泉;张铭菊 | 申请（专利权）人： | 常州星海电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;C30B23/02;C30B29/44 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 何学成 |
| 地址： | 213022 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 gap 薄膜 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备GaP薄膜材料的方法，其特征在于：以Ga2O3，P2O5以及还原萃取剂为原料，加入与固体原料质量50%~100%相当的无水乙醇，研磨均匀后，用10~15MPa的压力将其压成厚度为1~10mm的片材，然后将其放置于反应器刚玉坩埚中，用高纯氮气抽真空，置换到氧气浓度为ppm级，然后再用混合气体抽真空置换1~2次，抽真空至7~13Pa，控制升温速度在5~10℃/min范围内，反应区加热升温至1200℃~1250℃范围内,沉积区加热升温至600℃~800℃范围内，恒温3~4h，其间保持真空度不小于-0.08MPa；当反应区温度达到预定温度后，自然降温至室温，充入混合气体至常压后，即得到棕红色的GaP薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种制备GaP薄膜材料的方法，其特征在于：按摩尔比计：所述的Ga2O3︰As2O3︰还原萃取剂为1.0︰1.0︰8.0 。
3.根据权利要求1或2所述的一种制备GaP薄膜材料的方法，其特征在于：所述的还原萃取剂选用：活性炭、氢气、氢气-氩气混合气及碳氢化合物中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种制备GaP薄膜材料的方法，其特征在于：所述的混合气体为Ar与H2的混合气体，所述的H2体积占混合气体总体积的10%~30%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州星海电子有限公司，未经常州星海电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210552003.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于在数据处理中规划流程的电路装置
- 下一篇：一种带有便捷放置装置的背包
- 同类专利
- 专利分类
