[发明专利]存储器管理方法、存储器控制器与存储器储存装置有效
申请号: | 201210551905.9 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103870399A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 林纬 | 申请(专利权)人: | 群联电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/16 | 分类号: | G06F12/16;G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种存储器管理方法以及使用此方法的存储器控制器与存储器储存装置。本存储器管理方法包括施予不同的检测偏压来读取储存在可复写式非易失性存储器模块的物理页面中的数据并且根据所读取的数据来计算对应的错误位数。本存储器管理方法还包括根据所计算的错误位数来估计每一物理页面的磨损程度值并且根据此些物理页面的磨损程度值来操作可复写式非易失性存储器模块。基此,本存储器管理方法可有效地识别可复写式非易失性存储器模块的磨损程度并且使用对应的机制来操作可复写式非易失性存储器模块,由此避免数据错误。 | ||
搜索关键词: | 存储器 管理 方法 控制器 储存 装置 | ||
【主权项】:
一种存储器管理方法,用于一可复写式非易失性存储器模块,该可复写式非易失性存储器模块具有多个存储单元,该多个存储单元组成多个物理页面,该多个物理页面构成多个物理区块,每一该多个存储单元包括多个储存状态,该多个储存状态至少包括一第一储存状态与一第二储存状态,该存储器管理方法包括:记录每一该多个物理页面的一磨损程度值;以及根据该多个物理页面的磨损程度值来操作该可复写式非易失性存储器模块,其中记录每一该多个物理页面的磨损程度值的步骤包括:编程该些物理页面之中的一第一物理页面,以写入一数据至该第一物理页面;施予一第一检测偏压至该第一物理页面以从该第一物理页面中读取该数据并且计算在使用该第一检测偏压所读取的数据中的一第一错误位数;施予一第二检测偏压至该第一物理页面以从该第一物理页面中读取该数据并且计算在使用该第二检测偏压所读取的数据中的一第二错误位数;以及依据该第一错误位数与该第二错误位数产生对应该第一物理页面的磨损程度值,其中该第一检测偏压大于该第二检测偏压,该第一检测偏压小于对应该第二储存状态的一验证偏压,并且该第二检测偏压大于该第一储存状态的一验证偏压。
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