[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及制造方法和显示器件有效
| 申请号： | 201210546613.6 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103022149A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 成军;袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示器件。薄膜晶体管、阵列基板包括形成在基板上的栅极、氧化物有源层、源极、漏极、像素电极，其特征在于源漏电极与氧化物有源层之间设置有源漏过渡层，通过在源漏极层与氧化物有源层之间形成一层源漏过渡层，减少了一次构图工艺，节省了一次mask，从而有效地降低了成本。同时增加的源漏过渡层可以阻挡氧化物有源层在刻蚀中被腐蚀，还可以有效地减少薄膜晶体管Vth（阈值电压）漂移、提高Ion（开启电流）/Ioff（关闭电流）、增强热稳定性。本发明技术手段简单，易于实施，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括栅极、栅绝缘层、氧化物有源层、源极、漏极，其中，所述氧化物有源层对应所述源极与漏极间隔位置为沟道区，其特征在于，所述源极和所述氧化物有源层之间形成有源过渡层，所述漏极和所述氧化物有源层之间形成有漏过渡层，其中所述源过渡层和所述漏过渡层不相连，所述源过渡层与漏过渡层直接接触所述氧化物有源层。
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