[发明专利]一种浅沟槽隔离结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201210546447.X | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103871950A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 宋化龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法，所述方法包括：（a）提供半导体衬底；（b）在所述半导体衬底上形成缓冲氧化层和硬掩膜层；（c）刻蚀所述硬掩膜层、所述缓冲氧化层和所述半导体衬底，以形成沟槽；（d）在所述沟槽的内壁和底面采用热氧化形成衬氧化层；（e）用介电材料填充所述沟槽，使用化学机械抛光工艺平坦化所述介电材料，直到露出所述硬掩膜层的一部分；以及（f）剥离所述硬掩膜层和所述缓冲氧化层，其中，所述方法还包括在步骤（c）之后的第一离子注入步骤或者在步骤（e）之后的第二离子注入步骤。根据本发明提出的方法，可以有效地抑制反窄宽度效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：（a）提供半导体衬底；（b）在所述半导体衬底上形成缓冲氧化层和硬掩膜层；（c）刻蚀所述硬掩膜层、所述缓冲氧化层和所述半导体衬底，以形成沟槽；（d）在所述沟槽的内壁和底面采用热氧化形成衬氧化层；（e）用介电材料填充所述沟槽，使用化学机械抛光工艺平坦化所述介电材料，直到露出所述硬掩膜层的一部分；以及（f）剥离所述硬掩膜层和所述缓冲氧化层，其特征在于，所述方法还包括在步骤（c）之后的第一离子注入步骤或者在步骤（e）之后的第二离子注入步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
