[发明专利]一种Zn1-xMgxO基异质结及其制备方法有效
| 申请号： | 201210541857.5 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103066171A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 曹铃;王金平;崔艳霞;陈彬;刘瑞萍 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/26;C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 戎文华 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 一种Zn1-xMgxO基异质结及其制备方法，其所述异质结是由衬底上的n-Zn1-xMgxO薄膜层和p-Ni1-yMgyO薄膜层构成；其所述方法是将ZnO和MgO与Al2O3或Ga2O3粉末混合后压制成型并烧结，制得掺Al或Ga的Zn1-xMgxO陶瓷靶材；将NiO、MgO和Li2CO3粉末混合后压制成型并烧结，制得掺Li的Ni1-xMgxO陶瓷靶材；将衬底置于脉冲激光沉积装置，调整靶材与衬底间距离，在适当的衬底温度、氧气压强和激光频率下，以掺Al或Ga的Zn1-xMgxO陶瓷靶为溅射靶材，在衬底上沉积n-Zn1-xMgxO薄膜层；然后以掺Li的Ni1-xMgxO陶瓷靶为溅射靶材，在n-Zn1-xMgxO薄膜层上沉积p-Ni1-yMgyO薄膜层，获得Zn1-xMgxO基异质结。本发明方法简单，成本低廉，生长条件易控且界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能，所获得的Zn1-xMgxO基异质结在短波长光电子器件和透明电子学领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zn sub mg 基异质结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Zn1‑xMgxO基异质结，其特征是：在衬底（1）上自下而上依次沉积n‑Zn1‑xMgxO薄膜层（2）和p‑Ni1‑yMgyO薄膜层（3）；所述衬底（1）是氧化锌、蓝宝石、硅、玻璃和石英中的一种；所述n‑Zn1‑xMgxO薄膜层（2）是Al或Ga掺杂的Zn1‑xMgxO合金薄膜，其中，Mg的摩尔百分含量x为0
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