[发明专利]薄型大功率、低正向贴面封装二极管有效
| 申请号： | 201210541068.1 | 申请日： | 2012-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103000699A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 安国星;李述洲 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L23/367;H01L23/488;H01L23/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 405200 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄型大功率、低正向贴面封装二极管，包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封装环氧树脂，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、下料片的下端片和下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。本发明所述贴面封装二极管采用肖特基硅芯片，在不增加硅芯片面积的情况下达到降低正向压降的目的，电流10A测试可达0.44V以下；通过采用片状式料片，减小了二极管的厚度，实现了外形薄、体积小的目的，并通过大面积的端片外露，使其具有良好的散热能力，实现了功率大、散热好的目的，并便于贴装。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 正向 贴面 封装 二极管 | ||
【主权项】：
一种薄型大功率、低正向贴面封装二极管，其特征在于：包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封装环氧树脂，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、所述下料片的下端片和所述下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。
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