[发明专利]两步式浅沟槽隔离（STI）工艺有效
| 申请号： | 201210540747.7 | 申请日： | 2012-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN103633140A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 洪敏皓;周友华;李志聪;张简旭珂;廖茂成;葛翔翔;黄振铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 种集成电路器件和一种用于制造集成电路器件的工艺。该集成电路器件包括具有在其中形成沟槽的衬底，占据沟槽的第一隔离材料层，形成在第一隔离材料层上的第二隔离材料层，位于衬底上并且水平地与第二隔离材料层相邻的外延生长硅层，以及形成在外延生长硅层上的栅极结构，其中栅极结构限定沟道。本发明还公开一种两步式浅沟槽隔离(STI)工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 两步式浅 沟槽 隔离 sti 工艺 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：衬底，具有形成在所述衬底中的沟槽；第一隔离材料层，占据所述沟槽；第二隔离材料层，形成在所述第一隔离材料层上方；外延生长硅层，位于所述衬底上并且水平地与所述第二隔离材料层相邻；以及栅极结构，形成在所述外延生长硅上，所述栅极结构限定沟道。
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