[发明专利]一种多结太阳电池宽光谱减反射膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210539205.8 申请日: 2012-12-14
公开(公告)号: CN102983226A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: 方昕;张玮;王艺帆 申请(专利权)人: 上海空间电源研究所
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216
代理公司: 上海航天局专利中心 31107 代理人: 冯守志
地址: 200245 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明的多结太阳电池宽光谱减反射膜及其制备方法,步骤包括选择一种高折射率材料、一种低折射率材料作为镀膜材料,改进电子束蒸发设备,用椭偏仪测试材料光学参数(n,k),输入优化程序;确定膜系层数,优化程序中输入多结电池的结构参数,运行优化程序计算出最优膜厚;接近电池表面的材料为高折射率材料,然后在高折射率材料上镀低折射率材料形成HL,递增HL形成宽光谱减反射膜结构,然后将折射率小于1.2的材料加在所述反射膜结构上。本发明的优点是选用材料均为常见材料即可,通过优化厚度,能有效降低300~1800nm的较宽范围内电池的反射率。该方法工艺简便,又能得到适合多结电池宽光谱范围的减反射膜,实用性强。
搜索关键词: 一种 太阳电池 光谱 减反射膜 及其 制备 方法
【主权项】:
一种多结太阳电池宽光谱减反射膜制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、选择一种高折射率材料、一种低折射率材料作为镀膜材料,用椭偏仪测试两种材料的光学参数(n,k),输入优化程序;步骤2、在电子束蒸发设备中装入电机使基片旋转,同时令基片法向与电子束成一定角度,在基片上蒸镀的材料为低折射率材料,用椭偏仪测试其光学参数(n,k),输入优化程序;步骤3、确定膜系层数,优化程序中输入多结电池的结构参数,包括所述多结电池每一层厚度及其光学参数,运行优化程序计算出最优膜厚;接近电池表面的材料为高折射率材料,然后在高折射率材料上镀低折射率材料形成HL;步骤4、重复所述步骤3中形成HL的过程,依次递增HL个数,形成宽光谱减反射膜结构,然后将用斜角入射方法制备的折射率小于1.2的材料加在所述反射膜结构上。
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