[发明专利]一种多结太阳电池宽光谱减反射膜及其制备方法无效
申请号: | 201210539205.8 | 申请日: | 2012-12-14 |
公开(公告)号: | CN102983226A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | 方昕;张玮;王艺帆 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 冯守志 |
地址: | 200245 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明的多结太阳电池宽光谱减反射膜及其制备方法,步骤包括选择一种高折射率材料、一种低折射率材料作为镀膜材料,改进电子束蒸发设备,用椭偏仪测试材料光学参数(n,k),输入优化程序;确定膜系层数,优化程序中输入多结电池的结构参数,运行优化程序计算出最优膜厚;接近电池表面的材料为高折射率材料,然后在高折射率材料上镀低折射率材料形成HL,递增HL形成宽光谱减反射膜结构,然后将折射率小于1.2的材料加在所述反射膜结构上。本发明的优点是选用材料均为常见材料即可,通过优化厚度,能有效降低300~1800nm的较宽范围内电池的反射率。该方法工艺简便,又能得到适合多结电池宽光谱范围的减反射膜,实用性强。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 光谱 减反射膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多结太阳电池宽光谱减反射膜制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、选择一种高折射率材料、一种低折射率材料作为镀膜材料,用椭偏仪测试两种材料的光学参数(n,k),输入优化程序;步骤2、在电子束蒸发设备中装入电机使基片旋转,同时令基片法向与电子束成一定角度,在基片上蒸镀的材料为低折射率材料,用椭偏仪测试其光学参数(n,k),输入优化程序;步骤3、确定膜系层数,优化程序中输入多结电池的结构参数,包括所述多结电池每一层厚度及其光学参数,运行优化程序计算出最优膜厚;接近电池表面的材料为高折射率材料,然后在高折射率材料上镀低折射率材料形成HL;步骤4、重复所述步骤3中形成HL的过程,依次递增HL个数,形成宽光谱减反射膜结构,然后将用斜角入射方法制备的折射率小于1.2的材料加在所述反射膜结构上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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