[发明专利]一种半色调掩模板及其制造方法有效
| 申请号： | 201210535821.6 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103034045A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 罗丽平;贠向南;许朝钦;金基用;周子卿 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/32 | 分类号： | G03F1/32;G03F1/54;G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半色调掩模板及其制造方法，属于显示领域。该半色调掩模板中，包括像素区和外围走线区，所述像素区包括半透光区域，其中，从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。本发明的技术方案能够有效避免TFT-LCD阵列基板外围走线区附近像素区域沟道光刻胶偏薄，经刻蚀工艺后易发生源漏极沟道半导体缺失，从而改善TFT-LCD出现的像素点灯不良现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 色调 模板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半色调掩模板，包括像素区和外围走线区，所述像素区包括半透光区域，所述外围走线区包括至少一个扇形布线区，其特征在于，从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210535821.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可快速安装的降频喇叭
- 下一篇：矿井提升机的变频节能系统
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
