[发明专利]一种半色调掩模板及其制造方法有效
| 申请号： | 201210535821.6 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103034045A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 罗丽平;贠向南;许朝钦;金基用;周子卿 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/32 | 分类号： | G03F1/32;G03F1/54;G03F1/62 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 色调 模板 及其 制造 方法 | ||
1.一种半色调掩模板，包括像素区和外围走线区，所述像素区包括半透光区域，所述外围走线区包括至少一个扇形布线区，其特征在于，
从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。
2.根据权利要求1所述的半色调掩模板，其特征在于，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延伸方向，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。
3.根据权利要求1或2所述的半色调掩模板，其特征在于，所述半透光区域的透光率逐渐减小通过逐渐增大半透光薄膜的厚度实现。
4.根据权利要求3所述的半色调掩模板，其特征在于，从远离像素区边缘到像素区边缘的方向上，所述半透光区域的半透光薄膜厚度的变化满足下述公式：
Tx=（1+x%）*T
T为远离像素区边缘的半透光薄膜厚度，x为设定的补偿比例，补偿比例x值逐渐增大。
5.根据权利要求3所述的半色调掩模板，其特征在于，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延伸方向上，所述半透光区域的半透光薄膜厚度的变化满足下述公式：
Ty=（1+y%）*T’
T’为所述扇形布线区对称轴方向对应像素区边缘半透光薄膜的厚度，y为与所述对称轴垂直延伸方向半透光薄膜厚度补偿比例，y值逐渐增大。
6.一种半色调掩模板的制作方法，其特征在于，包括：
步骤a：提供一基板；
步骤b：在所述基板上沉积不透光薄膜，并通过构图工艺在所述基板上形成完全不透光区域和完全透光区域；
步骤c：在经过所述步骤b的基板上沉积半透光薄膜，并通过构图工艺在所述基板上形成半透光区域和完全透光区域；
其中，所述像素区包括半透光区域，所述外围走线区包括至少一个扇形布线区，从所述远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。
7.根据权利要求6所述的半色调掩模板制造方法，其特征在于，所述像素区边缘沿着与所述扇形布线区对称轴的垂直延伸方向，所述掩模板的半透光区域的透光率逐渐减小。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
