[发明专利]一种离子注入设备有效
| 申请号： | 201210533306.4 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103871812A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 邹志超;李超波;窦伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入设备，包括：离子注入腔室、进气口、出气口、基片台、射频电源、脉冲电源；其中，所述离子注入设备还包括：注入源，所述注入源与所述进气口连接，用于给所述离子注入腔室注入金属气体源；加热装置，所述加热装置与所述注入源连接，所述加热装置用于将所述注入源中的金属或金属氧化物气化，本发明通过利用金属或者金属氧化物在不同温度下的饱和蒸汽压不同的特性，将注入源中的金属氧化物气化成单质金属气体，进而实现了有效产生金属等离子体，具有离子注入品质高的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 设备 | ||
【主权项】：
一种离子注入设备，包括：一离子注入腔室，用于给所述离子注入设备提供真空注入环境；一进气口，所述进气口设于所述离子注入腔室的第一边上，所述进气口用于给所述离子注入设备提供注入气体；一出气口，所述出气口设于所述离子注入腔室的第二边上，所述出气口用于将所述注入气体抽离所述离子注入腔室，且，所述第一边与所述第二边为对边；一基片台，所述基片台包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分位于所述离子注入腔室内，用于给所述离子注入安置待注入样片；所述第二部分位于所述离子注入腔室外；一射频电源，所述射频电源与所述基片台的第二部分连接，用于给所述注入气体放电产生等离子体提供电源；一脉冲电源，所述脉冲电源与所述离子注入腔室连接，用于给所述离子注入提供脉冲电源；其中，所述离子注入设备还包括：一注入源，所述注入源与所述进气口连接，用于给所述离子注入腔室注入金属气体源；一加热装置，所述加热装置与所述注入源连接，所述加热装置用于将所述注入源中的金属氧化物气化。
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