[发明专利]一种晶圆级倒装互联方法无效
| 申请号： | 201210532188.5 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103065990A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 刘惠春 | 申请（专利权）人： | 山西国惠光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030006 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造技术，具体是一种晶圆级倒装互联方法。本发明解决了采用现有倒装互联技术制成的半导体器件成品率低、可靠性差、生产效率低、生产成本高的问题。一种晶圆级倒装互联方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.选取两个晶圆；b.选取纵向导电材料，并将纵向导电材料加工成纵向导电材料层；c.将纵向导电材料层层叠于其中一个晶圆的上表面，并将另一个晶圆层叠于纵向导电材料层的上表面，然后向两个晶圆施加轴向挤压力；d.在轴向挤压力的作用下，两个晶圆通过纵向导电材料层倒装互联形成晶圆对。本发明适用于半导体器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 倒装 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级倒装互联方法，其特征在于：该方法是采用如下步骤实现的：a.选取两个晶圆（1）；b.选取纵向导电材料，并将纵向导电材料加工成纵向导电材料层（2）；c.将纵向导电材料层（2）层叠于其中一个晶圆（1）的上表面，并将另一个晶圆（1）层叠于纵向导电材料层（2）的上表面，然后向两个晶圆（1）施加轴向挤压力；d.在轴向挤压力的作用下，两个晶圆（1）通过纵向导电材料层（2）倒装互联形成晶圆对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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