[发明专利]等平面场氧化隔离结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210521736.4 | 申请日： | 2012-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103855072A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 许高博;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种等平面场氧化隔离结构及其形成方法。所述方法包括：提供衬底；在衬底上形成氧化硅层；在氧化硅层上形成第一氮化硅层；进行图案化，在预定区域形成开口，露出所述衬底；在所述开口中去除所述衬底的部分，以形成凹槽；在所述凹槽的内壁形成氮化硅侧墙；在所述凹槽内生长场氧化层；使所述场氧化层的表面与所述凹槽外所述衬底的表面平齐；以及去除所述凹槽外的所述第一氮化硅层和所述氧化硅层。根据本发明的方法可获得等平面场氧化隔离结构；同时，在凹槽的内壁形成有氮化硅侧壁，可以防止横向的过氧化，保持有源区域面积不变。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 氧化 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成等平面场氧化隔离的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化硅层；在所述氧化硅层上形成第一氮化硅层；对所述第一氮化硅层和所述氧化硅层进行图案化，在预定区域形成开口，露出所述衬底；在所述开口中去除所述衬底的部分，以在所述衬底的表面形成凹槽；在所述衬底上形成第二氮化硅层，蚀刻所述第二氮化硅层，以在所述凹槽的内壁形成氮化硅侧墙；在所述凹槽内生长场氧化层；使所述场氧化层的表面与所述凹槽外所述衬底的表面平齐；以及去除所述凹槽外的所述第一氮化硅层和所述氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
