[发明专利]一种平面栅型IGBT芯片有效
| 申请号： | 201210521043.5 | 申请日： | 2012-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102969351A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412001 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面栅型IGBT芯片，包括：依次排列的集电极金属电极、P+集电极区、N-漂移区、P-基区、P+欧姆接触区、N+源极区、栅氧化层、多晶硅栅和栅极金属电极，以及设置在P+欧姆接触区上方的发射极金属电极。平面栅型IGBT芯片的多晶硅栅采用平面栅结构。平面栅型IGBT芯片还包括第一N型载流子埋层和/或第二N型载流子埋层。第一N型载流子埋层位于P-基区的下方。第二N型载流子埋层位于栅氧化层的下方，P-基区的两侧。本发明优化并降低了IGBT芯片的导通压降与关断损耗的折中关系，实现了更低的功耗，从而提高了IGBT芯片的功率密度，工作结温，以及长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 igbt 芯片 | ||
【主权项】：
一种平面栅型IGBT芯片，包括至少一个元胞，其特征在于，所述元胞包括：依次排列的集电极金属电极（40）、P+集电极区（12）、N‑漂移区（10）、P‑基区（13）、P+欧姆接触区（14）、N+源极区（15）、栅氧化层（20）、多晶硅栅（30）和栅极金属电极（42），以及设置在所述P+欧姆接触区（14）上方的发射极金属电极（41）；所述平面栅型IGBT芯片的多晶硅栅（30）采用平面栅结构；所述平面栅型IGBT芯片还包括N型载流子埋层，所述N型载流子埋层包括第一N型载流子埋层（16），所述第一N型载流子埋层（16）位于P‑基区（13）的下方。
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