[发明专利]红外图像传感器及其形成方法

摘要

一种红外图像传感器及其形成方法，包括：提供具有CMOS控制电路的衬底；在衬底上方形成像素结构、像素结构和控制电路电连接的插栓；像素结构和所述衬底之间还形成有第一牺牲层；还包括：形成具有第一开口的第二牺牲层，覆盖像素结构，第一开口位于插栓上方；在第二牺牲层上、第一开口的侧壁和底部形成支撑层；在支撑层中形成第二开口，通过第二开口去除第一牺牲层、第二牺牲层；去除第一牺牲层、第二牺牲层后，形成封盖层，覆盖支撑层、填满第一开口、第二开口，封盖层为对红外线的透射层；在封盖层和支撑层中形成第三开口，利用物理气相沉积工艺在第三开口中形成密封层，密封第三开口。本技术方案中的封盖工艺与传统的半导体工艺兼容。

主权项

一种形成红外图像传感器的方法，其特征在于，包括：提供具有CMOS控制电路的衬底；在所述衬底上方形成像素结构、所述像素结构和所述控制电路电连接的插栓；像素结构和所述衬底之间还形成有第一牺牲层；形成像素结构以及插栓之后，还包括：形成具有第一开口的第二牺牲层，覆盖所述像素结构，所述第一开口位于所述插栓上方；在所述第二牺牲层上、所述第一开口的侧壁和底部形成支撑层；在所述支撑层中形成第二开口，通过所述第二开口去除所述第一牺牲层、第二牺牲层；去除所述第一牺牲层、第二牺牲层后，形成封盖层，覆盖所述支撑层、填满所述第一开口、第二开口，所述封盖层为对红外线的透射层；在所述封盖层和支撑层中形成第三开口，之后利用物理气相沉积工艺在所述第三开口中形成密封层，密封所述第三开口。