[发明专利]用于BSI图像传感器的背面结构和方法

摘要

本发明公开了用于BSI图像传感器的背面结构和方法。在实施例中，提供衬底，该衬底具有传感器阵列区和外围区并且具有正面和背面；在背面上方形成底部抗反射涂层(BARC)至第一厚度，其位于传感器阵列区和外围区上方；在BARC上方形成第一介电层；形成金属覆盖物；从传感器阵列区上方选择性去除金属覆盖物；从传感器阵列区上方选择性去除第一介电层，其中，在选择性去除第一介电层的过程中还去除一部分第一厚度的BARC并且保留第一厚度BARC的剩余物；在BARC的剩余物上方和金属覆盖物上方形成第二介电层；以及在第二介电层上方形成钝化层。

主权项

一种用于形成图像传感器的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有传感器阵列区和外围区并且具有正面和相对的背面；在所述传感器阵列区和所述外围区上方形成底部抗反射涂层(BARC)，其中所述BARC在所述半导体衬底的背面上方具有第一厚度；在所述BARC上方形成第一介电层；在所述第一介电层上方形成金属覆盖物；从所述传感器阵列区上方选择性地去除所述金属覆盖物；从所述传感器阵列区上方选择性地去除所述第一介电层，其中，在选择性地去除所述第一介电层期间，还去除所述BARC的所述第一厚度的一部分并保留所述BARC的所述第一厚度的剩余部分；在所述BARC的所述第一厚度的所述剩余部分上方和所述外围区的所述金属覆盖物上方形成第二介电层；以及在所述第二介电层上方形成钝化层。