[发明专利]一种OLED器件有效

专利信息
申请号: 201210517303.1 申请日: 2012-12-06
公开(公告)号: CN103022377A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 邱勇;刘嵩;何麟 申请(专利权)人: 昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 彭秀丽
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种OLED器件,包括基板,依次设置在基板上的阳极、有机层和阴极,所述阴极为透明复合阴极,包括低功函数金属与Ag的合金层、Ag层,以及设置在Ag层上的增透层;所述低功函数金属的功函数小于3.7eV的,所述合金层中低功函数金属与Ag的摩尔比是2:1-8:1,所述合金层的厚度为3-11nm,所述Ag层的厚度为15-30nm,所述增透层的厚度为30-100nm。Mg、Li、K等与Ag共同蒸镀时会包覆在Ag原子周围,以适度的比例蒸镀可以有效降低阴极的功函数,且不会大量吸收可见光;增透层不但增加透射光的强度,且能隙较大,不会影响器件色纯度;所述合金层的厚度与所述Ag层的厚度较低,具有较高的透光率。
搜索关键词: 一种 oled 器件
【主权项】:
一种OLED器件,包括基板(1)以及依次设置在所述基板(1)上的阳极(3)、有机层和阴极(9),其特征在于:所述阴极(9)为透明复合阴极,包括由低功函数金属与Ag构成的合金层、Ag层,以及设置在所述Ag层上的增透层;所述合金层的厚度为3‑11nm,所述Ag层的厚度为15‑30nm,所述增透层的厚度为30‑100nm;所述合金层中,所述低功函数金属的功函数小于3.7eV,所述低功函数金属含量与Ag含量的摩尔比是2:1‑8:1。
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