[发明专利]一种OLED器件

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件领域，尤其涉及一种具有透明复合阴极的OLED器件。

背景技术

有机电致发光器件(英文全称为Organic Light-Emitting Diode，简称为OLED)按照出光方式分为底发射器件（英文全称为Bottom OrganicLight-emitting Device，简称为BEOLED）和顶发射器件（英文全称为TOPOrganic Light-emitting Device，简称为TEOLED）。BEOLED所用的阳极是透明的，一般通过溅射的方式将的透明的铟锡氧化物ITO(或铟锌氧化物IZO等)生长在透明基板上作为阳极，器件内部发出的光相继经过透明阳极、透明基板射出。采用这种方式制作的显示屏由于驱动电路和显示区域要同时制作在透明基板上，导致显示区域面积相对减小，显示屏的开口率降低。与普通的底发射器件相比，顶发射有机电致发光器件(TEOLED)由于其本身的结构特点，光可以从顶部电极射出，在有源驱动OLED中,像素驱动电路、总线等可以制作在显示区域的下方，从而避免了驱动电路与显示区域互相竞争的问题，使得器件的开口率大大提高，进而实现显示屏的高分辨率。顶发射器件还可以制作在硅基衬底上，从而可制成硅上有机微显示器。

顶发射器件的主要难点是需要选择合适的阴极材料，既要具有较低的功函数，以保证有效的电荷注入，又要获得较好的透光率，且有较低的电阻。美国专利US2003227250A1中公开了一种用于显示器的透明电极采用了Ag合金薄膜，但其没有考虑OLED器件所要求的较低阴极功函数的特性。中国专利CN102593373A公开了一种OLED复合透明阴极结构，所述复合透明阴极结构包括透明阴极层以及辅助透明阴极层，辅助透明阴极层设置在透明阴极层上方；所述透明阴极层采用Mg/Ag合金材料，Mg的质量百分比为30%-0.1%，Ag的质量百分比为70%-99.9%，辅助阴极层采用Ag材料制成。该阴极结构中，选用Mg/Ag合金材料作为透明阴极，但由于比例不适当，反而在一定程度上增加了功函数，影响了电子向有机层的有效注入。中国专利CN101034735A公开了一种Mg/Ag合金材料作为透明阴极，并限定其厚度为Mg和Ag的比例为25:1-10:1，该文献公开的技术方案虽然在一定程度上降低了功函数，提高了器件的光通量，但由于Mg的比例过高，影响了光的出射，进而影响了OLED器件的发光效率，也没有考虑器件由于光学特性而导致在不同视角观察引起的色度变化。

发明内容

为此，本发明所要解决的是现有的OLED器件中透明阴极结构功函数高、透光率差的技术问题，提供一种具有较低功函数、较高透光率的OLED复合阴极的OLED器件。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

一种OLED器件，包括基板以及依次设置在所述基板上的阳极、有机层和阴极，所述阴极为透明复合阴极，包括由低功函数金属与Ag构成的合金层、Ag层，以及设置在所述Ag层上的增透层；所述合金层的厚度为3-11nm，所述Ag层的厚度为15-30nm，所述增透层的厚度为30-100nm；所述合金层中，所述低功函数金属的功函数小于3.7eV，所述低功函数金属含量与Ag含量的摩尔比是2:1-8:1。

所述合金层的厚度为3-7nm，所述Ag层厚度为15-25nm，所述增透层的厚度为50-100nm。

所述合金层的厚度为7-11nm，所述Ag层厚度为20-30nm，所述增透层的厚度为30-60nm。

所述低功函数金属选自Mg、Li、K中的一种。

所述增透层的折射率在450nm-650nm波长范围内大于或者等于1.7。

构成所述增透层的材料选自茚並芴衍生物、三胺衍生物或螺芴衍生物。

构成所述增透层的材料选自下述结构式所示的化合物中的一种或多种：

所述有机层为发光层。

所述有机层包括发光层和功能层。

所述功能层包括空穴注入层、电子阻挡层、空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子注入层中的一种或几种的组合。

所述基板与所述阳极之间还设置有反射层。

本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

1、本发明所提供的OLED器件中所述透明复合阴极，一方面，Mg、Li、