[发明专利]一种OLED器件有效

申请号：	201210517303.1	申请日：	2012-12-06
公开（公告）号：	CN103022377A	公开（公告）日：	2013-04-03
发明（设计）人：	邱勇;刘嵩;何麟	申请（专利权）人：	昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司
主分类号：	H01L51/52	分类号：	H01L51/52;H01L51/54
代理公司：	北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250	代理人：	彭秀丽
地址：	215300 江苏省苏***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种 oled 器件
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【权利要求书】：

1.一种OLED器件，包括基板（1）以及依次设置在所述基板（1）上的阳极（3）、有机层和阴极（9），其特征在于：所述阴极（9）为透明复合阴极，包括由低功函数金属与Ag构成的合金层、Ag层，以及设置在所述Ag层上的增透层；所述合金层的厚度为3-11nm，所述Ag层的厚度为15-30nm，所述增透层的厚度为30-100nm；所述合金层中，所述低功函数金属的功函数小于3.7eV，所述低功函数金属含量与Ag含量的摩尔比是2:1-8:1。

2.根据权利要求1所述OLED器件，其特征在于：所述合金层的厚度为3-7nm，所述Ag层厚度为15-25nm，所述增透层的厚度为50-100nm。

3.根据权利要求1所述OLED器件，其特征在于：所述合金层的厚度为7-11nm，所述Ag层厚度为20-30nm，所述增透层的厚度为30-60nm。

4.根据权利要求1-3任一所述OLED器件，其特征在于：所述低功函数金属选自Mg、Li、K中的一种。

5.根据权利要求1-4任一所述OLED器件，其特征在于：所述增透层的折射率在450nm-650nm波长范围内大于或者等于1.7。

6.根据权利要求5所述的OLED器件，其特征在于：构成所述增透层的材料选自茚並芴衍生物、三胺衍生物或螺芴衍生物。

7.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于：构成所述增透层的材料选自下述结构式所示的化合物中的一种或多种：

。

8.根据权利要求1-7任一所述的OLED器件，其特征在于，所述有机层为发光层（6）。

9.根据权利要求1-7任一所述的OLED器件，其特征在于，所述有机层包括发光层（6）和功能层。

10.根据权利要求9所述的OLED器件，其特征在于，所述功能层包括空穴注入层、电子阻挡层、空穴传输层、电子传输层、空穴阻挡层、电子注入层中的一种或几种的组合。

11.根据权利要求8-10任一所述的OLED器件，其特征在于，所述基板（1）与所述阳极（3）之间还设置有反射层（2）。

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