[发明专利]相变存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201210513905.X | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855300B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 李莹;朱南飞;吴关平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器及其形成方法，其中所述相变存储器的形成方法包括提供半导体衬底、位于半导体衬底表面的第一介质层，位于所述半导体衬底表面、第一介质层内的环形电极，所述环形电极上表面与所述第一介质层表面齐平，且所述第一介质层填充所述环形电极内部；形成覆盖所述第一介质层和环形电极的第二介质层；在所述第二介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露部分所述环形电极上表面；在所述第一开口内形成相变层。本发明相变存储器的形成方法，环形电极和相变层的接触面积小于环形电极的顶表面的面积，相变存储器操作功耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底、位于半导体衬底表面的第一介质层，位于所述半导体衬底表面、第一介质层内的环形电极，所述环形电极上表面与所述第一介质层表面齐平，且所述第一介质层填充所述环形电极内部；形成覆盖所述第一介质层和环形电极的第二介质层；在所述第二介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露部分所述环形电极上表面；在所述第一开口内形成相变层；还包括：在所述第一开口内形成相变层后，在所述相变层上依次形成接触金属层和第三介质层；研磨所述第三介质层和接触金属层，直至暴露出所述第二介质层表面。
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