[发明专利]薄膜沉积方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201210513885.6 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103854970B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜沉积方法和半导体器件。所述薄膜沉积方法中，在将多块的晶圆放入垂直式炉管之前，在所述晶圆的背面形成一层氧化层，从而在薄膜沉积过程中，避免在晶圆的背面形成细小颗粒，并脱落后掉落在下一层晶圆的薄膜沉积面上，并由此对下一层晶圆上沉积的薄膜层造成污染，降低了晶圆上形成的薄膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜沉积方法，包括将多块晶圆放入垂直式炉管中，进行薄膜沉积，其特征在于，在将所述晶圆放入炉管前，在所述晶圆的背面形成氧化层；在所述晶圆的背面形成氧化层包括：先采用HF和HNO3的混合溶液清洗晶圆背面；之后以DIO3清洗以在晶圆背面形成第一氧化层；在所述晶圆的背面形成所述第一氧化层后，以DHF溶液除去所述第一氧化层；再以DIO3溶液清洗以在晶圆背面形成第二氧化层；在所述多块晶圆放入垂直式炉管前，在所述晶圆的薄膜沉积面上由下至上依次形成高K介电层和蚀刻阻挡层；在所述多块晶圆放入垂直式炉管后，在各块所述晶圆的薄膜沉积面上形成一层多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
