[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板与显示装置有效
| 申请号： | 201210513258.2 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103378163A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 徐振航;辛哲宏 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板与显示装置。该薄膜晶体管包含：一栅极，设置于一基底上，其中该栅极具有连接该基底的一第一侧面；一栅介电层，设置于该栅极上；一半导体层，设置于该栅介电层上并覆盖该栅极的该第一侧面；以及一源极与一漏极，分别设置于该半导体层上并位于该半导体层的相对两侧，且该源极与该漏极位于该栅极的该第一侧面上。在此薄膜晶体管的结构中，增加其栅极厚度，让此薄膜晶体管的源极与漏极配置在栅极侧壁上，以减少此薄膜晶体管所占据的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包含：一栅极，设置于一基底上，其中该栅极具有连接该基底的一第一侧面；一栅介电层，设置于该栅极上；一半导体层，设置于该栅介电层上并覆盖该栅极的该第一侧面；以及一源极与一漏极，分别设置于该半导体层上并位于该半导体层的相对两侧，且该源极与该漏极位于该栅极的该第一侧面上。
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