[发明专利]一种存储器电路的通用单粒子效应检测方法

摘要

一种存储器电路的通用单粒子效应检测方法，步骤为：(1)配置待测存储器为写状态并写入测试向量，然后将待测存储器置于辐照环境中；(2)若进行动态测试，则将待测存储器配置为读状态，将各地址单元存储的数据读出并与写入数据比较，将比较结果不一致的地址单元的数量作为总错误计数，并进一步分析各地址单元发生2位或以上数据翻转的情况；(3)若是静态测试，则将待测存储器配置为不读不写状态，当辐照过程中的累计辐照粒子达到标准后，顺序读出各地址单元内的数据并与写入数据比较，将比较结果不一致的地址单元的数量作为总错误计数。在辐照过程中，实时监测待测存储器的工作电流，当工作电流超过正常工作电流的1.5倍时判定发生闩锁。

主权项

一种存储器电路的通用单粒子效应检测方法，其特征在于步骤如下：(1)配置待测储器电路为写状态，对于同步存储器电路还需要确定其工作时钟频率；(2)选择测试向量并将测试向量写入待测存储器电路的各个地址单元，然后将待测存储器电路置于辐照环境中开始辐照；在辐照过程中实时监测待测存储器电路的工作电流直至测试结束，当工作电流发生异常并超过正常工作电流的1.5倍时判定发生闩锁；(3)选择是进行动态测试或者静态测试，若为动态测试则进入步骤(4)，若为静态测试则进入步骤(6)；(4)将待测存储器电路配置为读状态，将待测存储器电路的各个地址单元存储的数据读出并与写入的数据进行比较，将比较结果不一致的地址单元的数量作为总错误计数，然后进入步骤(5)；(5)对于比较结果不一致的各地址单元均进行以下操作，记被操作的地址单元为地址单元i，(51)将地址单元i的写入数据Si的每一位取反并和地址单元i的读出数据Si+1的相应位进行逻辑与的操作，得到相应的一组数据序列T(i，j)，其中i代表该地址单元，j为该地址单元的数据位数，若T(i，j)的值为1，则判定地址单元i中的第j位的数据发生了0‑>1的翻转；若T(i，j)的值为0，则判定地址单元i中的第j位的数据没有发生0‑>1翻转；(52)将地址单元i的写入数据Si的每一位和地址单元i的读出数据Si+1的相应位的非进行逻辑与的操作，得到相应的一组数据序列K(i，j)，若K(i，j)的值为1，则判定地址单元i中的第j位的数据发生了1‑>0翻转；若K(i，j)的值为0，则判定地址单元i中的第j位的数据没有发生1‑>0翻转；(53)分别统计T(i，j)和K(i，j)两组数据序列，根据数据序列中j的取值情况，得到地址单元i发生2位或者2位以上数据翻转的情况，结束测 试；(6)将待测存储器电路配置为不读不写状态，对于同步存储器电路还需要设定其时钟信号停止，当辐照过程中的累计辐照粒子达到标准后停止辐照；对于同步存储器电路设定其时钟信号回复，然后顺序读出待测存储器电路各地址单元内的数据并与写入数据进行比较，对于异步存储器电路则直接顺序读出待测存储器电路各地址单元内的数据并与写入数据进行比较，将比较结果不一致的地址单元的数量作为总错误计数，结束测试。