[发明专利]一种适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构无效
| 申请号： | 201210508820.2 | 申请日： | 2012-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855262A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 马亮;梁信伟 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构，涉及LED光电子器件的制造技术领域。本发明结构从衬底开始自下而上依次包括：n型化合物半导体、有源区和p型化合物半导体三部分。其结构特点是，所述有源区是由m个量子阱和m+1个量子垒交替堆叠而成，其中，m为任意自然数，量子垒的最大禁带宽度大于相邻量子阱的最大禁带宽度，不同量子垒的最大禁带宽度或膜层厚度呈现渐变方式分布。同现有技术相比，本发明能减小或者消除氮化物LED在大电流驱动条件下的“能效降低”问题，提高器件的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 电流 驱动 氮化物 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种适用于大电流驱动的氮化物LED外延结构，它从衬底开始自下而上依次包括：n型化合物半导体、有源区和p型化合物半导体三部分；n型化合物半导体包括缓冲层、非掺杂层、n型电子注入物层，p型化合物半导体包括p型电子阻挡层和p型空穴注入层，n型化合物半导体、有源区和p型化合物半导体三部分的组成材料均为氮化物AlxInyGa1‑x‑yN (0≤x，y≤1；x+y≤1)，且各部分由一层或者若干层不同组分的AlxInyGa1‑x‑yN (0≤x，y≤1；x+y≤1)构成；其特征在于，所述有源区是由m个量子阱和m+1个量子垒交替堆叠而成，其中，m为任意自然数，量子垒的最大禁带宽度大于相邻量子阱的最大禁带宽度，不同量子垒的最大禁带宽度或膜层厚度呈现渐变方式分布。
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