[发明专利]静电保护电路及其电池保护电路有效
| 申请号： | 201210502023.3 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103023005A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 尹航;王钊;田文博;李展 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 戴薇 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静电保护电路及电池保护电路，其中集成电路的静电保护电路中，所述集成电路具有第一连接端和第二连接端，所述静电保护电路包括连接于第一连接端和第二连接端的静电保护器件，该静电保护器件包括埋层、位于埋层上方的P阱、位于埋层上方并与P阱相邻的N阱、在P阱的上部注入形成的第一注入区和在N阱的上部注入形成的第二注入区，其中第一注入区与第一连接端相连，第二注入区与第二连接端相连。本发明的优点在于，可以防止充电器反接时烧毁电池保护电路内的静电保护器件。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 保护 电路 及其 电池 | ||
【主权项】：
一种集成电路的静电保护电路，所述集成电路具有第一连接端和第二连接端，其特征在于，所述静电保护电路包括连接于第一连接端和第二连接端的静电保护器件，该静电保护器件包括埋层、位于埋层上方的P阱、位于埋层上方并与P阱相邻的N阱、在P阱的上部注入形成的第一注入区和在N阱的上部注入形成的第二注入区，其中第一注入区与第一连接端相连，第二注入区与第二连接端相连。
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