[发明专利]一种干法刻蚀GaN基材料形成倾斜侧壁的方法无效
| 申请号： | 201210492636.3 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103021835A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 徐洲;陈鹏;谭崇斌;徐兆青;张琳;吴真龙;徐峰;高峰;夏群;邵勇;王栾井;宋雪云 | 申请（专利权）人： | 南京大学扬州光电研究院 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种干法刻蚀GaN基材料形成倾斜侧壁的方法，属于半导体技术领域。先对被刻蚀的GaN基样片进行清洗、烘干，去除表面水汽，再采用可以形成厚膜的光刻胶，在GaN基样片表面制作厚度为1μm～100μm、在干法刻蚀过程中可以逐渐膨胀，使掩蔽区域外扩的具有流动性的掩蔽层，然后对GaN基样片进行干法刻蚀，形成倾斜侧壁，最后，将刻蚀后的GaN基样片放入去胶液中去除残留掩蔽层，再依次采用丙酮、无水乙醇进行超声清洗，最后用去离子水漂洗，氮气吹干。本发明具有工艺简单、可控性强、可重复性高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 gan 基材 形成 倾斜 侧壁 方法 | ||
【主权项】：
一种干法刻蚀GaN基材料形成倾斜侧壁的方法，其特征在于包括以下步骤：1) 对被刻蚀的GaN基样片进行清洗、烘干，去除表面水汽；2) 光刻：采用可以形成厚膜的光刻胶，经包括匀胶、软烘、曝光、显影和坚膜工艺步骤，在GaN基样片表面制作厚度为1μm～100μm、在干法刻蚀过程中可以逐渐膨胀，使掩蔽区域外扩的具有流动性的掩蔽层；3) 对GaN基样片进行干法刻蚀，形成倾斜侧壁；4) 将刻蚀后的GaN基样片放入去胶液中去除残留掩蔽层，再依次采用丙酮、无水乙醇进行超声清洗，最后用去离子水漂洗，氮气吹干。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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