[发明专利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210489048.4 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103839998B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;石晶;刘冬华;段文婷;胡君 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件，包括第一n阱，作为器件的漂移区；在第一n阱中具有p阱和第二n阱，所述p阱作为器件的沟道所在区域；在第一n阱之上具有栅氧化层和栅极；在p阱中具有n型掺杂区作为器件的源极；在p阱底部具有第一p型掺杂区，所述第一p型掺杂区还延伸到栅氧化层的正下方；在第二n阱中具有第三p型掺杂区作为器件的漏极。或者，将上述各部分的掺杂类型变为相反。本申请还公开了所述LDMOS器件的制造方法。本申请LDMOS器件具有较小的导通电阻，同时又基本不会降低击穿电压。其制造方法仅采用CMOS工艺，因而可集成于BCD工艺之中，并且不会增加制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件，其特征是，包括第一n阱，作为器件的漂移区；在第一n阱中具有p阱和第二n阱，所述p阱作为器件的沟道所在区域；在第一n阱之上具有栅氧化层和栅极；在p阱中具有n型掺杂区作为器件的源极；在p阱底部具有第一p型掺杂区，所述第一p型掺杂区还延伸到栅氧化层的正下方；在第二n阱中具有第三p型掺杂区作为器件的漏极；在第一n阱中具有隔离结构，第二n阱位于第三隔离结构和第四隔离结构之间，P阱在部分的第一隔离结构的下方、以及第一隔离结构与第二隔离结构之间、以及全部的第二隔离结构的下方、以及部分的第二隔离结构与第三隔离结构之间；p阱的深度大于隔离结构，p阱的底部与第一p型掺杂区相接触；所述第三p型掺杂区在LDMOS器件导通时增加空穴注入，降低器件的导通电阻；所述漂移区采用轻掺杂结构以提高所述第一n阱和所述p阱之间的PN结击穿电压；所述第一p型掺杂区还延伸到栅氧化层的正下方以降低所述栅氧化层下方的所述第一n阱的表面电场并增加所述第一n阱和所述p阱之间的PN结耗尽区的宽度，以及将碰撞电离最强的点从第三隔离结构的左下角转向下，提高器件的击穿电压；或者，将上述各部分的掺杂类型变为相反。
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