[发明专利]LED用晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 201210487009.0 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103840043A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 大下文夫;山口雅弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社高松电镀;山口雅弘 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 戚传江;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及LED用晶片及其制造方法，提供一种LED用晶片及其制造方法，其采用因金属层均匀且浑然一体地形成、层间不产生剥离、且与LED的接触热阻极少，从而可保持稳定的散热性及机械强度的镀金属方法，同时不会因与半导体接合时产生的高热而使相反的下表面产生高热造成的问题。在由Mo构成的芯材的两面形成Ni或Ni合金的镀Ni层夹持镀Cu层的两面的夹层状的复合衬层，进一步在其上下形成镀Au层，在上下镀Au层上形成由AuSn合金、Au/Sn层压、In的任意一种形成的连接镀层，并且在下表面中通过对该连接镀层进行切削，使镀Au层露出，保存并具有上表面留有AuSn合金、Au/Sn层压、In的镀层的与LED的连接镀层。 | ||
| 搜索关键词： | led 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED用晶片，其特征在于，以由Mo构成的薄板状的芯材为中心上下对称地在两面形成镀Au层，在芯材和该两个镀Au层之间介入形成对其进行补充、维持的至少由镀Cu层构成的复合衬层，在设置LED的上表面，在上述镀Au层上形成由AuSn合金、Au/Sn层压、In的任意一种形成的连接镀层，下表面是上述镀Au层的露出面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社高松电镀;山口雅弘，未经株式会社高松电镀;山口雅弘许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210487009.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
