[发明专利]LED用晶片及其制造方法在审
| 申请号： | 201210487009.0 | 申请日： | 2012-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN103840043A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 大下文夫;山口雅弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社高松电镀;山口雅弘 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 戚传江;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 晶片 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED用晶片，其特征在于，以由Mo构成的薄板状的芯材为中心上下对称地在两面形成镀Au层，在芯材和该两个镀Au层之间介入形成对其进行补充、维持的至少由镀Cu层构成的复合衬层，在设置LED的上表面，在上述镀Au层上形成由AuSn合金、Au/Sn层压、In的任意一种形成的连接镀层，下表面是上述镀Au层的露出面。
2.根据权利要求1所述的LED用晶片，其特征在于，复合衬层是在镀Cu层的上下两面具有薄Ni或Ni合金的镀镍层的夹层构造，该镀Cu层以镀Ni层为衬底形成在芯材上，上下两面的镀Au层以该镀Ni层为衬底分别形成。
3.一种LED用晶片的制造方法，其特征在于，在由Mo构成的芯材的两面形成Ni或Ni合金的镀Ni层夹持镀Cu层的两面的夹层状的复合衬层，进一步在其上下形成镀Au层，在上下镀Au层上形成由AuSn合金、Au/Sn层压、In的任意一种形成的连接镀层，并且在下表面中通过对该连接镀层进行切削，使镀Au层露出，保存并具有上表面留有AuSn合金、Au/Sn层压、In的镀层的与LED的连接镀层。
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