[发明专利]基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210481128.5 | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103035287A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李兴鳌;赵晋阳;李晓峰;陈晃毓;杨涛;潘聪;王志姣;孙俊冬 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G11C13/04 | 分类号： | G11C13/04 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器的制造方法，具体制备方法为：a.选择稳定性强的透明材料为基底，利用磁控溅射的方法制备出氮化铜薄膜；b.在完成上一步后，将镀有氮化铜薄膜的基底加工成所需的尺寸和形状，基底作为芯层，氮化铜薄膜作为记录层并将数据记录在氮化铜薄膜上，得到光存储器的单层波导；c.重复上述操作，制作光存储器所需的若干单层波导，并将所需记录的数据记录在相应的记录层中；d.上述加工完成后，把这些单层依次重叠并将边缘粘合起来，各个单层之间自然形成的空气层作为光存储器的包层，得到基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器。该光存储器无毒对人体和环境友好，制作成本低，结构简单，制造过程简单，对设备要求不高，易于大规模制造。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化 薄膜 一次 写入 多层 波导 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器的制造方法，其特征在于基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器的基本结构主要分为三层，依次包括记录层、芯层和包层；记录层：它是记录数据的地方，利用磁控溅射方法制备的氮化铜薄膜一次性光存储介质；芯层：传导寻址光束；包层：限光和隔离；所述的基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器的制备方法为：a.选择稳定性强的透明材料为基底，利用磁控溅射的方法制备出氮化铜薄膜；b.在完成上一步后，将镀有氮化铜薄膜的基底加工成所需的尺寸和形状，基底作为芯层，氮化铜薄膜作为记录层并将数据记录在氮化铜薄膜上，得到光存储器的单层波导；c. 重复上述操作，制作光存储器所需的若干单层波导，并将所需记录的数据记录在相应的记录层中；d.上述加工完成后，把这些单层依次重叠并将边缘粘合起来，各个单层之间自然形成的空气层作为光存储器的包层，得到基于氮化铜薄膜的一次写入型多层波导光存储器。
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