[发明专利]用于后段半导体器件加工的方法和装置有效
| 申请号： | 201210480065.1 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103456681A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王泓智;陈威戎;梁耀祥;连城广 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了用于制造集成电路(IC)的后段工艺的方法和装置。两层金属层之间的金属间介电(IMD)层可以包括金属层上方的蚀刻终止层、蚀刻终止层上方的低k介电层、低k介电层上方的介电硬掩模层、介电硬掩模层上方的无氮抗反射层(NFARL)以及NFARL上方的厚度介于约180埃至约360埃范围内的金属硬掩模(MHM)层。在约180埃至约360埃的范围优化MHM层的厚度从而在减小Cu凹陷的同时避免了图片叠加移动问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 后段 半导体器件 加工 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种制造集成电路(IC)的方法，包括：在金属层上方形成蚀刻终止层；在所述蚀刻终止层上方形成低k介电层；在所述低k介电层上方形成介电硬掩模层；在所述介电硬掩模层上方形成无氮抗反射层(NFARL)；以及在所述NFARL上方形成厚度介于约180埃至约360埃范围内的金属硬掩模(MHM)层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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