[发明专利]具有增强磁阻比的磁换能器有效
| 申请号： | 201210478642.3 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN103021423A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | M·W·科温顿;Q·何;丁元俊;V·A·瓦斯科 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 毛力 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的各实施例一般涉及磁响应叠层，其通过在第一和第二铁磁自由层之间设置间隔层来构造。至少一个铁磁自由层具有耦合子层，该耦合子层增强该磁响应叠层的磁阻比(MR)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 磁阻 磁换能器 | ||
【主权项】：
一种磁传感器，包括：设置在第一和第二铁磁自由层之间的间隔层的磁响应叠层，至少一个铁磁自由层具有增强磁阻比(MR)的耦合子层。
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