[发明专利]具有增强磁阻比的磁换能器

权利要求书

1.一种磁传感器，包括：

设置在第一和第二铁磁自由层之间的间隔层的磁响应叠层，至少一个铁磁自由层具有增强磁阻比(MR)的耦合子层。

2.根据权利要求1的磁传感器，其中该第一和第二铁磁自由层的每一个具有耦合子层。

3.根据权利要求1的磁传感器，其中该磁响应叠层设置在去耦层之间。

4.根据权利要求3的磁传感器，其中各个去耦层是钽。

5.根据权利要求1的磁传感器，其中该耦合层是FeCoZrTa。

6.根据权利要求1的磁传感器，其中该耦合层是CoFe₄₈B₂₀。

7.根据权利要求1的磁传感器，其中该耦合层是NiFe。

8.根据权利要求1的磁传感器，其中该第一和第二铁磁自由层中的每一个是CoFeB合金。

9.根据权利要求1的磁传感器，其中扩散层设置在各个耦合子层和铁磁自由层之间。

10.根据权利要求9的磁传感器，其中该扩散层是钽。

11.根据权利要求1的磁传感器，其中该耦合子层具有与该第一和第二铁磁自由层不同的磁致伸缩性。

12.根据权利要求1的磁传感器，其中该至少一个铁磁自由层是净磁致伸缩性实质上为零的耦合子层。

13.一种磁性叠层，包括：

设置在第一和第二去耦层之间的读取器叠层，该读取器叠层包括设置在第一和第二铁磁自由层之间的间隔层，各个铁磁自由层具有耦合子层，该耦合子层与各自的铁磁自由层被扩散层所分隔开。

14.根据权利要求13的磁性叠层，其中各个去耦层和扩散层是钽。

15.根据权利要求13的磁性叠层，其中该间隔层是MgO。

16.根据权利要求13的磁性叠层，其中该第一去耦层、第一铁磁自由层和各自的扩散层具有第一厚度，该第一厚度与由该第二去耦层、第二铁磁自由层和各自的扩散层所定义的第二厚度实质上不同。

17.根据权利要求13的磁性叠层，其中至少一个耦合层是NiFe，并且至少一个铁磁自由层是CoFeB合金。

18.一种方法，包括：

通过在第一和第二铁磁自由层之间形成间隔层来构造磁响应叠层；以及

通过邻近至少一个铁磁自由层而设置耦合子层来增强磁响应叠层的磁阻比(MR)。

19.根据权利要求18的方法，其中该至少一个耦合子层产生与各个各自的铁磁自由层的实质上为零的净磁致伸缩性。

20.根据权利要求18的方法，其中关于该磁响应叠层的预先确定的屏蔽-到-屏蔽的间隔，MR比得到增强。