[发明专利]一种结型场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201210477888.9 | 申请日： | 2012-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103840012A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王琼 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/06;H01L21/337 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种结型场效应晶体管（JFET）及其制备方法，属于结型场效应晶体管技术领域。该JFET包括：在衬底上形成第一导电类型的埋层；在埋层上外延生长形成外延层；在外延层中形成的用于形成沟道的第一导电类型的第一阱，第一阱被引出形成源极；在外延层中形成的、位于第一阱的宽度方向的两侧并与其邻接的第二导电类型的第二阱，第二阱被引出形成栅极；以及在外延层中形成的第一导电类型的第三阱，第三阱被引出形成漏极；其中，JFET的沟道方向基本垂直于衬底表面；JFET在导通时，第一阱与第三阱之间通过埋层电性连接导通；第一导电类型与所述第二导电类型互为相反。该JFET的夹断电压具有易于调节设置、制备工艺简单的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种结型场效应晶体管，其特征在于，包括：在衬底上形成第一导电类型的埋层；在所述埋层上外延生长形成的外延层；在外延层中形成的用于形成沟道的第一导电类型的第一阱，所述第一阱被引出形成源极；在外延层中形成的、位于所述第一阱的宽度方向的两侧并与其邻接的第二导电类型的第二阱，所述第二阱被引出形成栅极；以及在外延层中形成的第一导电类型的第三阱，所述第三阱被引出形成漏极；其中，所述结型场效应晶体管的沟道方向基本垂直于所述衬底表面；所述结型场效应晶体管在导通时，所述第一阱与所述第三阱之间通过所述埋层电性连接导通；所述第一导电类型与所述第二导电类型互为相反。
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