[发明专利]沉积装置有效
| 申请号： | 201210472763.7 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102938389A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 王硕;许忠义 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种沉积装置，包括：外炉管；位于外炉管内的内炉管，所述内炉管的底部固定于所述外炉管的底部，所述内炉管的顶部为开口，且所述内炉管的顶部与所述外炉管的顶部不接触；位于所述内炉管内底部的基座；固定于所述基座表面的若干重叠设置的晶舟；自所述外炉管外部伸入所述内炉管内部的送气管道，所述送气管道自所述内炉管的底部向所述内炉管的顶部延伸；固定设置于所述内炉管的侧壁的固定装置，用于固定所述自内炉管底部向顶部延伸的送气管道；位于所述外炉管与内炉管之间的排气管道。所述沉积装置能够避免因此送气管道内的气体瞬间流速过快而产生歪倒，或避免所述送气管道因碰撞所述内炉管侧壁或晶舟而产生碎屑，从而使所形成的薄膜质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 装置 | ||
【主权项】：
一种沉积装置，其特征在于，包括：外炉管；位于外炉管内的内炉管，所述内炉管的底部固定于所述外炉管的底部，所述内炉管的顶部为开口，且所述内炉管的顶部与所述外炉管的顶部不接触；位于所述内炉管内底部的基座；固定于所述基座表面的若干重叠设置的晶舟；自所述外炉管外部伸入所述内炉管内部的送气管道，所述送气管道自所述内炉管的底部向所述内炉管的顶部延伸；固定设置于所述内炉管的侧壁的固定装置，用于固定所述自内炉管底部向顶部延伸的送气管道；位于所述外炉管与内炉管之间的排气管道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
