[发明专利]发光器件以及具有该发光器件的发光装置有效

专利信息
申请号: 201210466543.3 申请日: 2012-11-16
公开(公告)号: CN103117347B 公开(公告)日: 2017-10-20
发明(设计)人: 姜弼根;崔熙石;崔锡范;李珠源;黄德起;韩伶妵 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/22 分类号: H01L33/22;H01L33/64;H01L33/38;H01S5/02;H01S5/024
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 顾晋伟,董文国
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及发光器件以及具有该发光器件的发光装置。根据实施方案的发光器件包括透射衬底;包括多个突起的第一图案部分;包括多个凹部的第二图案部分,每个凹部的宽度小于每个突起的宽度;设置在透射衬底下并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在第一导电半导体层与第二导电半导体层之间的有源层的发光结构;在第一导电半导体层下的第一电极;在第二导电半导体层下的反射电极层;在反射电极层下的第二电极;在第一电极下的第一连接电极;在第二电极下的第二连接电极;以及设置在第一电极和第一连接电极周围以及第二电极和第二连接电极周围并且包括陶瓷基散热剂的绝缘支撑构件。
搜索关键词: 发光 器件 以及 具有 装置
【主权项】:
一种发光器件,包括:透射衬底;设置在所述透射衬底的顶表面上并且包括多个突起的第一图案部分;设置在所述透射衬底的顶表面上并且包括多个凹部的第二图案部分,每个凹部的宽度小于每个突起的宽度;设置在所述透射衬底下并且包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层之间的有源层的发光结构;在所述第一导电半导体层下的第一电极;在所述第二导电半导体层下的反射电极层;在所述反射电极层下的第二电极;在所述第一电极下的第一连接电极;在所述第二电极下的第二连接电极;在所述反射电极层下的绝缘层;设置在所述第一电极和所述第一连接电极周围以及在所述第二电极和所述第二连接电极周围并且包括陶瓷基散热剂的绝缘支撑构件,以及在所述透射衬底上的磷光体层,其中所述磷光体层的一部分设置在所述多个凹部中,其中所述绝缘支撑构件具有与所述绝缘层的材料不同的材料,其中所述绝缘支撑构件、所述透射衬底和所述第一导电半导体层的侧边布置在相同的平面上,其中所述第一连接电极和所述第二连接电极的底表面通过所述支撑构件的底表面暴露,其中所述多个凹部设置在所述突起中的每一个上并且相对于所述突起中的每一个的表面向下凹陷,其中设置在所述突起中的每一个上的所述凹部具有凹雕形状,其中所述绝缘层具有其中具有彼此不同的折射率的第一层和第二层交替布置的分布式布拉格反射结构,其中所述磷光体层的底表面具有沿所述突起延伸的凹凸形状,其中所述磷光体层设置在所述衬底和所述发光结构的侧边上。
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