[发明专利]一种深硅通孔的刻蚀方法

摘要

本发明提供一种深硅通孔的刻蚀方法，在硅衬底上形成掩膜层，采用交替进行的刻蚀步骤和聚合物沉积步骤刻蚀深硅通孔，其中，刻蚀步骤中通过第一组管道通入刻蚀气体，沉积步骤中通过第二组管道通入聚合物气体，所述刻蚀步骤结束后，关闭第一组管道的阀门，间隔一时间段之后，打开第二组管道的阀门；或者所述沉积步骤结束后，打开第一组管道的阀门，间隔所述时间段之后，关闭第二组管道的阀门，本发明通过控制阀门开闭时间来精确控制气体反应时间，并且随孔深增加而调节相应的刻蚀参数，以此来解决深孔刻蚀中随孔深增加刻蚀速率减弱的问题。

主权项

一种深硅通孔的刻蚀方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成掩膜层，采用交替进行的刻蚀步骤和聚合物沉积步骤刻蚀深硅通孔，其中，刻蚀步骤中通过第一组管道通入刻蚀气体，沉积步骤中通过第二组管道通入聚合物气体，其特征在于：所述刻蚀步骤结束后，关闭第一组管道的阀门，间隔一时间段之后，打开第二组管道的阀门；或者所述沉积步骤结束后，打开第一组管道的阀门，间隔所述时间段之后，关闭第二组管道的阀门；在所述时间段内调整刻蚀步骤中的轰击粒子的能量，所述刻蚀步骤中的轰击粒子的能量随硅通孔的深度增加而增强；所述刻蚀或者沉积步骤中的压强、射频功率以及刻蚀步骤的时间中的至少一项，随硅通孔的深度增加而改变；所述刻蚀或者沉积步骤中的压强随硅通孔的深度增加而减小，结束刻蚀时候的压力比初始刻蚀时候的压力减少5％至20％。