[发明专利]一种深硅通孔的刻蚀方法

权利要求书

1.一种深硅通孔的刻蚀方法，包括以下步骤：在硅衬底上形成掩膜层，采用交替进行的刻蚀步骤和聚合物沉积步骤刻蚀深硅通孔，其中，刻蚀步骤中通过第一组管道通入刻蚀气体，沉积步骤中通过第二组管道通入聚合物气体，其特征在于：

所述刻蚀步骤结束后，关闭第一组管道的阀门，间隔一时间段之后，打开第二组管道的阀门；或者

所述沉积步骤结束后，打开第一组管道的阀门，间隔所述时间段之后，关闭第二组管道的阀门；

在所述时间段内调整刻蚀步骤中的轰击粒子的能量，所述刻蚀步骤中的轰击粒子的能量随硅通孔的深度增加而增强；所述刻蚀或者沉积步骤中的压强、射频功率以及刻蚀步骤的时间中的至少一项，随硅通孔的深度增加而改变；所述刻蚀或者沉积步骤中的压强随硅通孔的深度增加而减小，结束刻蚀时候的压力比初始刻蚀时候的压力减少5％至20％。

2.如权利要求1所述的深硅通孔的刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀或者沉积的射频功率随硅通孔的深度增加而增加，结束刻蚀时候的射频功率比初始刻蚀时候的射频功率增加10％至30％。

3.如权利要求1所述的深硅通孔的刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀步骤的时间随硅通孔的深度增加而增加，刻蚀结束时候的刻蚀步骤的时间比初始刻蚀时候的刻蚀步骤时间增长5％至20％。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的深硅通孔的刻蚀方法，其特征在于：所述时间段为20毫秒至100毫秒。

5.如权利要求1至3中任意一项所述的深硅通孔的刻蚀方法，其特征在于：所述时间段为第一组管道或者第二组管道的阀门开关时间。

6.如权利要求1至3中任意一项所述的深硅通孔的刻蚀方法，其特征在于：所述时间段为第一组管道和第二组管道的阀门开关时间的平均值。

7.如权利要求1至3中任意一项所述的深硅通孔的刻蚀方法，其特征在于：所述第一组管道通入的气体包括SF₆、NF₃中的一种以及CO₂、CO、NO、N₂中的一种。

8.如权利要求1至3中任意一项所述的深硅通孔的刻蚀方法，其特征在于：所述第二组管道通入的气体包括C₄F₈、C₄F₆、CHF₃、CH₂F₂中的一种或两种以上的组合。